vpd硅晶圆金属污染英格尔监测

当前国内市场中vpd晶圆金属污染分析技术的掌握，对于整个行业而言十分重要。如何在摆脱国外技术依赖的同时，为企业提供完善准确的分析数据与服务。英格尔检测深耕硅晶圆金属分析行业多年，常用的表面污染分析监测技术有VPD-ICP-MS与TXRF。英格尔通过数据整合，将展示国内外相关的的硅晶圆金属污染监测能力和方案。

英格尔硅晶圆金属污染监测常用的分析技术是和VPD-ICP-MS。英格尔根据仪器类型、分析方法等实际情况，制定了相应的硅晶圆金属污染监测方案。

硅晶圆金属污染监测方案

英格尔TXRF与VPD-ICP-MS检测下限比较

TXRF是高通量分析的理想选择，因其测量原理基于电子束与硅晶圆表面的相互作用，*任何化学前处理。该技术允许在自动模式下快速分析常规元素和贵金属元素，并可使用映射（mapping）功能定位晶圆表面的局部污染。然而TXRF的检测下限（Low limit detection，LLD）较高，约1E9~1E11 atoms/cm2。

TXRF的检测下限比较

不过VPD-ICP-MS的检测下限差别较大。由于VPD技术基于化学原理且技术路线不同，ICP-MS检测下限计算方法也不相同（表2）。

英格尔VPD-ICP-MS 技术细节及检测下限测定

显示VPD-ICP-MS的检测下限在1E6~5E9 atoms/cm2，比TXRF要低的多。不过VPD-ICP-MS检测下限受到技术细节和实验环境差异影响。操作人员必须将装有扫描液的瓶子手工转移至ICP-MS/MS（Agilent），且样品瓶在收集前需人工清洗，以上步骤都会导致Na，Mg和Ca污染可能性增加。洁净室确保易沾污元素的检测下限仍低于1E10 atoms/cm2，若能够使用全自动VPD则检测下限还会有所改善。

VPD-ICP-MS的检测下限比较（表面） 

关于VPD金属污染，英格尔检测将进行专业的技术分析。首先硅晶圆表面污染技术VPD-ICP-MS，英格尔通过多种化学溶液进行贵金属元素与晶圆常规元素，进行无映射功能。英格尔VPD硅片晶圆表面污染技术可帮助企业进行元素提高了解下限，通过专业手段检测分析元素的较低浓度，同时将金属污染控制到关键的低浓度水平，为企业提供一站式vpd硅晶圆金属污染检测服务。